硅表面上构筑烷烃单层膜的分子模拟  

作　　者：苑世领[1] 蔡政亭[1] 刘永军[1] 肖莉[2] 徐桂英[2] 

机构地区：[1]山东大学理论化学研究所 [2]山东大学胶体与界面化学教育部重点实验室,济南250100

出　　处：《中国科学（B辑）》2002年第6期502-508,共7页Science in China(Series B)

基　　金：国家自然科学基金资助项目(批准号:20173032)

摘　　要：用分子力学方法模拟了十二烷烃在硅表面的单层膜的排列情况.从中发现:十二烷烃在硅表面的覆盖率约为50％,(8×8)大小的模拟格子即可描述烷烃链在硅表面的空间排列.同时讨论了不同取代方式对单层膜的影响,并比较了酯基和甲基终止的硅表面单层膜的空间排列方式,模拟结果与实验测量基本吻合.结果表明:分子模拟方法可以作为实验手段的一种辅助工具,在分子水平上为实验提供理论支持和微观信息.

关 键 词：硅表面烷烃单层膜 分子模拟 分子力学 覆盖率 空间排列 结构信息 

分 类 号：O621[理学—有机化学]