不同气氛下激光幅射对硅基Alq3薄膜光致发光特性的影响  

Effect of laser irradiation on photoluminescence of organic thin films based on sillicon in different atmosphere

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作  者:周美娟[1] 廖良生[2] 

机构地区:[1]井冈山师范学院物理系,江西吉安343009 [2]复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海200433

出  处:《井冈山师范学院学报》2002年第6期1-3,共3页

基  金:中国科学院资助项目

摘  要:在真空中、氮气中、大气中和氧气中分别测量了生长的硅片上的8-羟基喹啉铝(Alq3)薄膜光致发光(PL)谱及其在不同激光功率密度下的PL强度衰减谱.发现氧气和较强激光幅照共同作用会导致Alq3薄膜表面PL的衰减与淬灭.

关 键 词:激光幅射 硅基 Alq3薄膜 光致发光 影响 发光材料 

分 类 号:TN383.2[电子电信—物理电子学]

 

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