纳米尺度的Ag（TCNQ）薄膜的电特性  

作　　者：范智勇[1] 陈国荣[1] 等 

机构地区：[1]复旦大学材料科学系，上海200433

出　　处：《真空科学与技术》2002年第B12期5-7,共3页Vacuum Science and Technology

摘　　要：研究了金属有机电双稳薄膜材料Ag(TCNQ）在STM针尖下的电特性，观察在纳米尺度下Ag(TCNQ）从高阻态跃迁到低阻态的微分负阻现象，阻态间的跃迁可以重复进行，其阈值电压比交叉电极“三明治”结构的情况要低得多。另外，研究了Ag(TCNQ）电存储特性，包括写入，读出和擦除特性，结果表明Ag(TCNQ）可以作为超高密度的随机存储器的材料。

关 键 词：Ag(TCNQ)薄膜 电特性 有机金属电双稳材料 STM 微分负阻 超高密度随机存储器 RAM 纳米材料 

分 类 号：TP333.8[自动化与计算机技术—计算机系统结构] TB38[自动化与计算机技术—计算机科学与技术]