ITO靶材在溅射过程中结瘤行为的研究  

作　　者：姚吉升[1] 唐三川[1] 等 

机构地区：[1]长沙矿冶研究院，中国长沙410012

出　　处：《真空科学与技术》2002年第B12期47-50,共4页Vacuum Science and Technology

摘　　要：本文报导了ITO靶材溅射时，靶材表面的时效变化和靶材表面结瘤物的组成及其微结构；探讨了结瘤物生成的原因和减缓瘤子生成的方法，对改善ITO膜质有较好的参考价值。

关 键 词：ITO靶材 ITO膜 结瘤 黑化物 磁控溅射 铟锡氧化物薄膜 镀膜 

分 类 号：TB43[一般工业技术]