检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
机构地区:[1]西北工业大学金属凝固技术国家重点实验室,西安710072 [2]西安交通大学金属材料强度国家重点实验室,西安710049
出 处:《真空科学与技术》2002年第6期438-443,共6页Vacuum Science and Technology
基 金:国家 8 63计划 (2 0 0 1AA883 0 10 );国家自然科学基金项目 (5 0 2 710 5 3 )
摘 要:本文对气相沉积技术的发展与最新趋势给出了述评 ,重点强调了等离子体辅助化学气相沉积 (PCVD)的优势。The latest progress of thin hard films grown by vapor deposition was reviewed.Discussion focused on the many advantages and the industrial applications of plasma enhanced chemical vapor deposition(PCVD) in surface modification of various type of dies and cutting tools.
关 键 词:制备 气相沉积技术 硬质薄膜 PCVD 等离子体辅助化学气相沉积
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