锗硅双层量子点的光电流特性  

Photocurrent Study of Ge/Si Double Quantum Dots

作　　者：周浩[1] 蒋最敏[1] 陆昉[1] 

机构地区：[1]复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海200433

出　　处：《固体电子学研究与进展》2002年第4期441-444,共4页Research & Progress of SSE

基　　金：上海市科委启明星计划;国家自然科学基金 (项目批准号 199740 0 8;90 10 10 11);国家重点基础研究专项经费 (G2 0 0 1CB3 0 95 )

摘　　要：在分子束外延 (MBE)系统上用自组织方式生长了硅基双层锗量子点结构 ,并对样品进行光电流谱的测试。通过调节不同外加偏压来改变量子点中的费米能级位置 ,量子点中载流子所处束缚能级将随之发生变化 ,所得到的光电流谱的峰位也将因此而改变。由光电流谱得到的实验结果与常规的光致发光谱的结果相吻合。与单层锗量子点结构相比 ,双层结构的样品在光电特性上有着明显不同 :光电流谱中 ,在 0 .767e V及 0 .869e V处出现了两个峰 ,分别对应于载流子在不同的量子点层中的吸收。Room temperature infrared photocurrents of Ge/Si double quantum dots (QDs) are reported. The sample was grown in the Stranski Krastanov mode by molecular beam expitaxy. When the bias voltage is zero, the two peaks corresponding to two layers are located at 0.767 eV and 0.869 eV respectively. While increasing the bias voltage the peak locations make a shift. The photoluminescence measurement is used to confirm the existence of double quantum dots structure.

关 键 词：双层量子点 光电流 光致发光谱 分子束外延 

分 类 号：TN304.054[电子电信—物理电子学]