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出 处:《电子学报》1992年第2期26-30,共5页Acta Electronica Sinica
基 金:国家自然科学基金
摘 要:设计了场增强a-Si:H光电发射体,其结构是S_nO_2—n-p a-Si:H—Al:C_s:O,它具有夹心结构和低功函数表面,并因电荷放大效应而提高了光电产额。初步实验表明,在0.56μm波长,量子效串为2.1%,长波限在0.82μm。文中讨论了实验中存在的问题和提高量子效率的方法。Field-enhanced a-Si:H photoemitter is designed. The device is a SnO2--n-p a-Si:H--Al:Cs:O structure which incorporates a low work-function surface in n-p a-Si:H with charge amplification effect to give an increased photoelectron yield. Experimental demostration of photoemission from a-Si:H in this mode is reported. The photoelectron yield is 2.1% at 0.56μm wavelength and the long-wavelength cutoff is 0.82μm. Problems in the experiment and the method of obtaining high quantum efficiency are discussed.
分 类 号:TN15[电子电信—物理电子学]
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