陈远星

作品数：2被引量：1H指数：0
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供职机构：中国科学院电子学研究所更多>>
发文主题：漂移硅膜光电阴极透明导电膜数量级更多>>
发文领域：理学电子电信更多>>
发文期刊：《电子学报》更多>>
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场增强α-Si:H光电发射体实验研究被引量：1
《电子学报》1992年第2期26-30,共5页海宇涵 陈远星 
国家自然科学基金
设计了场增强a-Si:H光电发射体,其结构是S_nO_2—n-p a-Si:H—Al:C_s:O,它具有夹心结构和低功函数表面,并因电荷放大效应而提高了光电产额。初步实验表明,在0.56μm波长,量子效串为2.1％,长波限在0.82μm。文中讨论了实验中存在的问题...
关键词：光电发射体 非晶硅 漂移场 量子 
α-Si∶H光电发射的漂移场模型被引量：1
《电子科学学刊》1991年第1期57-64,共8页海宇涵 陈远星 臧宝翠 
国家自然科学基金
本文分析了扩散型或漂移型或具有电荷放大效应的光阴极的量子效率。提出了具有内场或外场的a-Si∶H光电发射模型。其结构是p-i-n a-Si∶H/Bi_2S_3或SnO_2-a-Si∶H-Al∶Cs∶Q_b估算了它们的量子效率和积分灵敏度。二者的量子效率为1—1θ...
关键词：光电发射 漂移场 A-SI:H 模型 
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