2μm厚Fe—N薄膜矫顽力的研究  

作　　者：周剑平[1] 顾有松[2] 等 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京100083 [2]北京科技大学材料物理与化学系,北京100083

出　　处：《金属材料研究》2002年第4期29-32,共4页Research on Metallic Materials

摘　　要：本文研究了RF磁控溅射法制备的Fe-N薄膜，经过250℃场热处理后，厚度为2μm薄膜的矫顽力随溅射功率变化的规律。实验发现，高功率可以减少薄膜中杂质元素的相对含量，降低矫顽力（小于80A／m），饱和磁化强度大于2．2T，这种材料可满足高密度存储写入头材料的要求。

关 键 词：FE-N薄膜 矫顽力 磁场热处理 磁记录介质 

分 类 号：TQ58[化学工程—精细化工]