Multi-Defect Generation Behavior in Ultra Thin Oxide Under DT Stresses  

直接隧穿应力下超薄栅氧化层中的多缺陷产生行为(英文)

作　　者：霍宗亮[1] 毛凌锋[1] 谭长华[1] 许铭真[1] 

机构地区：[1]北京大学微电子学研究所,北京100871

出　　处：《Journal of Semiconductors》2003年第2期127-132,共6页半导体学报（英文版）

基　　金：国家重点基础研究发展规则 (No.G2 0 0 0 0 3 65 0 3 );高校博士点基金资助项目~~

摘　　要：The saturation behavior of stress current is studied.The three types of precursor sites for trap generation are also introduced by fitting method based on first order rate equation.A further investigation by statistics experiments shows that there are definite relationships among time constant of trap generation,the time to breakdown,and stress voltage.It also means that the time constant of trap generation can be used to predict oxide lifetime.This method is faster for TDDB study compared with usual breakdown experiments.基于一阶速率方程 ,讨论了恒定电压应力下应力电流的饱和行为 .通过对应力电流的拟合 ,发现存在三类缺陷产生的前身 .更进一步的统计实验显示 ,在缺陷产生时间常数、击穿时间以及应力电压之间存在着明确的关系 .这意味着缺陷产生时间常数能够被用于有效预测氧化层的寿命 .与常规的氧化层击穿实验相比 ,基于缺陷产生时间常数的预测更快。

关 键 词：DEFECT MOS structure time  dependence dielectric breakdown 

分 类 号：TN43[电子电信—微电子学与固体电子学]