多孔硅形成机理研究的新进展  

A Review on the Lastest Research on Formation Mechanism of Porous Silicon

作　　者：付世[1] 丁德宏[1] 姚朋军[1] 单新华[1] 沈桂芬[1] 

机构地区：[1]辽宁大学物理系,辽宁沈阳110036

出　　处：《辽宁大学学报（自然科学版）》2003年第1期93-96,共4页Journal of Liaoning University：Natural Sciences Edition

摘　　要：更深入地分析了多孔硅形成的几种模型 ,对影响多孔硅形成的几个关键因素提出了新观点 ,描述了多孔硅的形成过程的一些特性 。The paper analyses three models about formation of porous silicon, including some new opinions about a few factors influencing the formation of porous silicon, explaining some properties of porous silicon in the formation process and presenting the expectation of its future application and development.

关 键 词：多孔硅 形成机理 晶向 散射 孔隙度 研究进展 半导体材料 反应剂 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学]