检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:刘庆锁[1] 姜训勇[1] 孙永昌[1] 刘技文[1]
机构地区:[1]天津理工学院材料科学与工程系,天津300191
出 处:《河北工业大学学报》2003年第1期67-70,共4页Journal of Hebei University of Technology
基 金:天津市自然科学基金重点资助项目(013802011)
摘 要:借助XRD、SEM研究了Sol-Gel法制备NiTiSMA/FC薄膜复合材料在650℃晶化退火处理后的界面结构.结果表明,陶瓷薄膜层的约束抑制了NiTiSMA基体的高温时效反应;由于NiTiSMA基体表面的高温氧化产生的TiO2过渡层,使NiTiSMA与铁电陶瓷两异质之间良好结合.A layer of ferroelectric ceramic thin film was prepared on NiTiSMA substrate by Sol-Gel method. The interface structure of NiTi/FC composite annealed at 650℃ was studied by XRD and SEM. The results show that ageing reaction in the NiTiSMA substrate is inhibited by restriction of ceramic thin film, and TiO2 transition layer formed with surface oxidation of NiTiSMA substrate combines best NiTiSMA with ferroelectric ceramic.
关 键 词:制备 NiTiSMA/FC复合材料 NITI形状记忆合金 铁电陶瓷薄膜 SOL-GEL法 氧化反应 界面结构 压电陶瓷
分 类 号:TB33[一般工业技术—材料科学与工程] TM28[电气工程—电工理论与新技术]
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在链接到云南高校图书馆文献保障联盟下载...
云南高校图书馆联盟文献共享服务平台 版权所有©
您的IP:216.73.216.151