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作 者:裴素华[1] 孙海波[1] 修显武[1] 薛成山[1] 杨利[1] 郭兴龙[1]
出 处:《科学技术与工程》2003年第1期61-64,共4页Science Technology and Engineering
基 金:国家自然科学基金(69976019);山东省自然科学基金(Y99G01)
摘 要:依照二次离子质谱(SIMS)、扩散电阻(SRP)和原子力显微镜(AFM)等分析手段,首次阐述了P型杂质Ga由SiO_2膜的吸收输运和SiO_2-Si内界面上的分凝效应两者的统一,完成硅中可控制掺杂的全过程;并揭示了其中SiO_2薄层的表面效应及Si的体内效应;初步建立起SiO_2/Si系下开管扩散Ga的模型。Relying on the analytical means of SIMS, SRP and AFM, theaccordance of the absorption transport of P-type impurity Gallium in SiO_2 thinfilm and the segregation effect in the intemal interface of SiO_2/Si system waselucidated. The work of controllable doping of Ga in silicon substrate is fin-ished. Finally the surface effect and bulk effect in SiO_2 thin film, and initiallyset up the module of open-tube Ga diffusion in SiO_2/Si interface are revealed.
关 键 词:SiO2/Si系 扩散机理 运动轨迹 分布规律 掺杂 二次离子质谱 开管扩Ga模型
分 类 号:TN304.2[电子电信—物理电子学] TN305.4
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