孙海波

作品数：27被引量：39H指数：3
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供职机构：山东交通学院理学院更多>>
发文主题：GA磁控溅射TIO掺杂SIO更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术理学更多>>
发文期刊：《微纳电子技术》《稀有金属材料与工程》《半导体光电》《河北师范大学学报（自然科学版）》更多>>
所获基金：国家自然科学基金山东省自然科学基金更多>>
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抑制剂8Q9和8QC与bromodomain结构域蛋白4作用机理的分子动力学研究被引量：1
《原子与分子物理学报》2021年第3期23-30,共8页吴世亮 孙海波 尹妍妍 李洪云 王青 王立飞 
国家自然科学基金(11504206);山东交通学院科研基金(Z201202,Z201206)。
Bromodomain结构域蛋白4(bromodomain-containing protein 4,BRD4)已成为治疗多种疾病药物设计的重要靶标.最近在实验上发现了几种有效的靶向BRD4的抑制剂,但具体的抑制机理尚不清楚.此工作采用分子动力学模拟,动态相关性分析和结合自...
关键词：分子动力学 bromodomain结构域蛋白4 结合自由能 抑制剂-残基相互作用 
学分制下的课程考核改革探索被引量：1
《文教资料》2017年第2期157-158,218,共3页张芹 许振峰 孙海波 
山东交通学院教育研究与教学改革项目经费支持,项目编号:JG201436
学分制允许学生有充分的选择范围,可以安排自己的学习专业和课程。学分制的实施必将引起教育管理体制的根本变革,课程考核方式改革便是其中一项重要内容。本文从“加强过程考核和改革考试内容”两方面讨论课程考试改革的基本思路,并通...
关键词：学分制 课程考核 考试改革 
氨化Ga_2O_3/Pd/Sapphire薄膜制备GaN纳米线
《功能材料》2010年第6期976-979,共4页薛成山 郭永福 石锋 庄惠照 刘文军 曹玉萍 孙海波 
国家重大自然科学基金资助项目(90201025;90301002)
利用金属元素钯作催化剂,采用磁控溅射后氨化法,成功的在Sapphire衬底上制备出GaN纳米线。X射线衍射和X射线光电子能谱研究显示合成的纳米线具有六方纤锌矿GaN结构。通过扫描电子显微镜,透射电子显微镜和高分辨透射电子显微镜观察分析得...
关键词：纳米线 GAN 磁控溅射 单晶 钯催化 
Au点阵模板控制生长ZnO堆垒单晶棒被引量：2
《微纳电子技术》2010年第5期277-281,共5页孙海波 石锋 曹玉萍 郭永福 刘文军 薛成山 
国家自然科学基金资助项目(90301002;90201025)
采用磁控溅射技术在Si(111)衬底上溅射Au薄膜,900℃退火生成Au点阵模板,在Au点阵模板上溅射ZnO薄膜,O2气氛下1 000℃退火制备了ZnO堆垒单晶棒。研究了不同直径Au点阵模板对ZnO单晶棒结构性能的影响。采用扫描电镜(SEM)、高分辨透射电子...
关键词：氧化锌 Au点阵模板 磁控溅射 单晶堆垒 光学特性 
ZnO单晶堆垒纳米棒的制备与表征被引量：2
《功能材料》2010年第3期520-522,526,共4页孙海波 石锋 曹玉萍 薛成山 修显武 
国家自然科学基金资助项目(90301002)
在Au点阵模板上磁控溅射ZnO薄膜,然后在O2气氛下1000℃退火制备了ZnO单晶堆垒纳米棒。采用扫描电子显微镜(SEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、X射线衍射(XRD)和傅立叶变换红外(FTIR)光谱对样品进行分析。结果表明,ZnO纳米棒是由诸多...
关键词：氧化锌 单晶堆垒 纳米棒 
利用Pd催化合成单晶GaN纳米线的光学特性(英文)被引量：2
《物理化学学报》2010年第2期507-510,共4页郭永福 薛成山 石锋 庄惠照 刘文军 孙海波 曹玉萍 
国家自然科学基金重大研究项目(90201025,90301002)资助~~
基于金属元素钯具有的催化特性,采用射频磁控溅射方法,在Si(111)衬底上沉积Pd:Ga2O3薄膜,然后在950℃下对薄膜进行氨化,制备出大量GaN纳米线.采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜(HRT...
关键词：纳米线 GAN 溅射 光学特性 钯催化 单晶 
氨气流量对GaN纳米线生长及性能的影响
《功能材料》2010年第2期264-267,共4页曹玉萍 薛成山 石锋 孙海波 刘文军 郭永福 
国家自然科学基金资助项目(90201025;90301002)
利用磁控溅射技术在Si衬底上沉积Ga2O3/Co薄膜,然后在不同氨气流量下于950℃退火15min。采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、傅立叶红外吸收(FTIR)光谱、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)和光致发光谱(PL)对样品进行了分析表征。结...
关键词：GAN 纳米线 氨气流量 溅射 生长机制 
氨化温度对Si基GaN纳米结构质量的影响(英文)
《微纳电子技术》2010年第1期18-24,共7页曹玉萍 薛成山 石锋 孙海波 郭永福 刘文军 
National Science Foundation of China(90201025,90301002)
通过磁控溅射技术在Si(111)衬底上沉积Ga2O3/Co薄膜,然后在不同温度下氨化制得GaN纳米结构。采用X射线衍射(XRD)、傅里叶红外吸收谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)、高分辨透射电镜(HRTEM)和光致发光谱(PL)对样品的结构、形貌和光学特性...
关键词：GAN纳米结构 SI衬底 钴 氨化 溅射 
氧化物缓冲层制备Si(111)基GaN纳米线
《微纳电子技术》2009年第10期595-598,620,共5页曹玉萍 石锋 孙海波 薛成山 
国家自然科学基金重大研究项目(90301002;90201025)
采用氧化物缓冲层,通过射频磁控溅射系统依次在n型Si(111)衬底上沉积Ga2O3/ZnO(Ga2O3/MgO)薄膜,然后将薄膜于950℃氨化合成GaN纳米结构,氨化时间为15min。采用X射线衍射(XRD)、傅里叶红外吸收谱(FTIR)和高分辨透射电镜(HRTEM)对样品的...
关键词：氮化镓 硅衬底 磁控溅射 纳米结构 缓冲层 
锥体上滚实验的原因分析被引量：5
《大学物理》2009年第3期26-28,共3页荣振宇 张莉 王培吉 陈志友 孙海波 
从锥体上滚实验的几何条件出发,分析该实验中双圆锥体沿倾斜导轨向上滚动的根本原因,并讨论了几何参数对实验的影响.
关键词：演示实验 锥体上滚 力矩 转动动能 
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