郭永福

作品数：9被引量：8H指数：2
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供职机构：山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所更多>>
发文主题：磁控溅射GAN纳米线GAN氨化纳米线更多>>
发文领域：电子电信一般工业技术更多>>
发文期刊：《功能材料》《山东科学》《物理化学学报》《微纳电子技术》更多>>
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氨化Ga_2O_3/Pd/Sapphire薄膜制备GaN纳米线
《功能材料》2010年第6期976-979,共4页薛成山 郭永福 石锋 庄惠照 刘文军 曹玉萍 孙海波 
国家重大自然科学基金资助项目(90201025;90301002)
利用金属元素钯作催化剂,采用磁控溅射后氨化法,成功的在Sapphire衬底上制备出GaN纳米线。X射线衍射和X射线光电子能谱研究显示合成的纳米线具有六方纤锌矿GaN结构。通过扫描电子显微镜,透射电子显微镜和高分辨透射电子显微镜观察分析得...
关键词：纳米线 GAN 磁控溅射 单晶 钯催化 
Au点阵模板控制生长ZnO堆垒单晶棒被引量：2
《微纳电子技术》2010年第5期277-281,共5页孙海波 石锋 曹玉萍 郭永福 刘文军 薛成山 
国家自然科学基金资助项目(90301002;90201025)
采用磁控溅射技术在Si(111)衬底上溅射Au薄膜,900℃退火生成Au点阵模板,在Au点阵模板上溅射ZnO薄膜,O2气氛下1 000℃退火制备了ZnO堆垒单晶棒。研究了不同直径Au点阵模板对ZnO单晶棒结构性能的影响。采用扫描电镜(SEM)、高分辨透射电子...
关键词：氧化锌 Au点阵模板 磁控溅射 单晶堆垒 光学特性 
Mn掺杂GaN纳米条的制备和性质的研究被引量：2
《山东科学》2010年第1期28-31,63,共5页刘文军 薛成山 石锋 庄惠照 郭永福 
国家自然科学基金(90201025;90301002)
通过在1000℃下氨化锰掺杂Ga2O3薄膜制备了大量GaMnN纳米条。采用此法得到的剑状Mn掺杂GaN纳米条是六方纤锌矿结构，Mn的原子百分比是5．43％，纳米条的厚度大约为100nm，宽度为200—400nm。X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、透射电...
关键词：GaN纳米条 MN 磁控溅射 纳米结构 
利用Pd催化合成单晶GaN纳米线的光学特性(英文)被引量：2
《物理化学学报》2010年第2期507-510,共4页郭永福 薛成山 石锋 庄惠照 刘文军 孙海波 曹玉萍 
国家自然科学基金重大研究项目(90201025,90301002)资助~~
基于金属元素钯具有的催化特性,采用射频磁控溅射方法,在Si(111)衬底上沉积Pd:Ga2O3薄膜,然后在950℃下对薄膜进行氨化,制备出大量GaN纳米线.采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜(HRT...
关键词：纳米线 GAN 溅射 光学特性 钯催化 单晶 
氨气流量对GaN纳米线生长及性能的影响
《功能材料》2010年第2期264-267,共4页曹玉萍 薛成山 石锋 孙海波 刘文军 郭永福 
国家自然科学基金资助项目(90201025;90301002)
利用磁控溅射技术在Si衬底上沉积Ga2O3/Co薄膜,然后在不同氨气流量下于950℃退火15min。采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、傅立叶红外吸收(FTIR)光谱、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)和光致发光谱(PL)对样品进行了分析表征。结...
关键词：GAN 纳米线 氨气流量 溅射 生长机制 
钯缓冲层制备GaN纳米线及光学特性分析
《微纳电子技术》2010年第1期14-17,共4页薛成山 郭永福 石锋 庄惠照 刘文军 
国家自然科学基金重大研究计划项目(90301002;90201025)
利用射频磁控技术,在Si衬底上以Pd为缓冲层、Ga2O3粉末作为生长GaN的Ga源,成功制备出大量GaN纳米线。通过扫描电子显微镜、透射电子显微镜和高分辨透射电子显微镜观察分析得出GaN纳米线为单晶结构,纳米线的直径为10～60nm,长度达几十个...
关键词：氮化镓 纳米线 磁控溅射 单晶 氨化 催化剂 
氨化温度对Si基GaN纳米结构质量的影响(英文)
《微纳电子技术》2010年第1期18-24,共7页曹玉萍 薛成山 石锋 孙海波 郭永福 刘文军 
National Science Foundation of China(90201025,90301002)
通过磁控溅射技术在Si(111)衬底上沉积Ga2O3/Co薄膜,然后在不同温度下氨化制得GaN纳米结构。采用X射线衍射(XRD)、傅里叶红外吸收谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)、高分辨透射电镜(HRTEM)和光致发光谱(PL)对样品的结构、形貌和光学特性...
关键词：GAN纳米结构 SI衬底 钴 氨化 溅射 
氨化温度对氨化Si基Ga_2O_3/Cr膜制备GaN纳米结构的影响被引量：1
《功能材料》2009年第4期595-597,601,共4页王邹平 薛成山 庄惠照 王英 张冬冬 黄英龙 郭永福 
国家重大自然科学基金资助项目(90201025;90301002)
采用磁控溅射的方法在Si(111)衬底上溅射沉积Ga2O3/Cr膜,并通过氨化的方法在Si(111)衬底上成功合成了六方纤锌矿GaN纳米结构材料,研究了不同的氨化温度对合成GaN纳米材料的影响。采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、透射电子...
关键词：Ga2O3/Cr膜 GAN纳米线 氨化温度 磁控溅射 
Si基Au催化合成镁掺杂GaN纳米线被引量：1
《功能材料》2009年第2期233-235,共3页黄英龙 薛成山 庄惠照 张冬冬 王英 王邹平 郭永福 刘文军 
国家自然科学基金资助项目(90301002);国家自然科学基金重大研究计划资助项目(90201025)
通过一种新奇的方法在硅衬底上成功地合成了掺杂镁的氮化镓纳米线，用金属镁粉末作为掺杂源，然后在900℃时于流动的氨气中进行氨化Ga2O3薄膜制备GaN纳米线。X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）、选区电子衍射（...
关键词：磁控溅射 GAN纳米线 Mg 氨化 
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