Mn掺杂GaN纳米条的制备和性质的研究  

Fabrication,Morphology and Optical Properties of Mn-Doped GaN Nanobars

作　　者：刘文军[1] 薛成山[1] 石锋[1] 庄惠照[1] 郭永福[1] 

机构地区：[1]山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所,山东济南250014

出　　处：《山东科学》2010年第1期28-31,63,共5页Shandong Science

基　　金：国家自然科学基金(90201025;90301002)

摘　　要：通过在1000℃下氨化锰掺杂Ga2O3薄膜制备了大量GaMnN纳米条。采用此法得到的剑状Mn掺杂GaN纳米条是六方纤锌矿结构，Mn的原子百分比是5．43％，纳米条的厚度大约为100nm，宽度为200—400nm。X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）、高分辨透射电子显微镜（HRTEM）、选区电子衍射（SAED）、X射线光电子能谱（XPS）和荧光分光光度计（PL）用于表征所制备纳米条形貌及光学性质。室温下以325nm波长的光激发样品表面，发现由于Mn的掺杂使GaN的发光峰有较大的红移。最后，简单讨论了GaN纳米条的生长机制。We propose a new approach for large-scale manufacture of GaMnN nanobars by ammoniated Mn doped Ga2O3 films at 1000℃. The obtained sword-like Mn-doped GaN nanobars are single-crystal hexagonal structure and the atom percentage of Mn is 5.43%. Their thickness and width are approximately 100 nm and 200 -400 nm. These nanobars are characterized with X-ray diffraction （XRD）, scanning electron microscope （SEM）, X-ray photoelectron spectroscopy （XPS）, high-resolution transmission eleetron microscopy （HRTEM） and photoluminescence （PL）. The GaN nanobars exhibit two emission bands with two well-defined PL peaks at 388 nm and 409 nm. The significant red-shift manifests for the photoluminescence of GaN due to Mn doping. We also briefly discuss the growth mechanism of crystalline GaN nanobars.

关 键 词：GaN纳米条 MN 磁控溅射 纳米结构 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学]