GAN纳米结构

作品数：6被引量：12H指数：3
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化学气相沉积法制备GaN纳米结构设计性实验被引量：3
《物理实验》2011年第2期1-5,共5页孙言飞 杨玮 简基康 
新疆大学21世纪高等教育教学改革项目(No.XJU2008JGZ08)
在无催化剂辅助条件下,采用化学气相沉积法生长了GaN纳米线.通过调整衬底、NH3气流、生长时间等,实现了半导体GaN纳米线的生长以及形貌调控.用X射线衍射仪和扫描电子显微镜对产物的物相及形貌进行了表征.获得了合成GaN纳米线的优化条件.
关键词：GAN 纳米线 化学气相沉积法 
氨化温度对Si基GaN纳米结构质量的影响(英文)
《微纳电子技术》2010年第1期18-24,共7页曹玉萍 薛成山 石锋 孙海波 郭永福 刘文军 
National Science Foundation of China(90201025,90301002)
通过磁控溅射技术在Si(111)衬底上沉积Ga2O3/Co薄膜,然后在不同温度下氨化制得GaN纳米结构。采用X射线衍射(XRD)、傅里叶红外吸收谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)、高分辨透射电镜(HRTEM)和光致发光谱(PL)对样品的结构、形貌和光学特性...
关键词：GAN纳米结构 SI衬底 钴 氨化 溅射 
氨化温度对氨化Si基Ga_2O_3/Cr膜制备GaN纳米结构的影响被引量：1
《功能材料》2009年第4期595-597,601,共4页王邹平 薛成山 庄惠照 王英 张冬冬 黄英龙 郭永福 
国家重大自然科学基金资助项目(90201025;90301002)
采用磁控溅射的方法在Si(111)衬底上溅射沉积Ga2O3/Cr膜,并通过氨化的方法在Si(111)衬底上成功合成了六方纤锌矿GaN纳米结构材料,研究了不同的氨化温度对合成GaN纳米材料的影响。采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、透射电子...
关键词：Ga2O3/Cr膜 GAN纳米线 氨化温度 磁控溅射 
化学气相沉积法制备GaN纳米线和纳米棒被引量：3
《功能材料》2009年第1期152-153,158,共3页王英 薛成山 庄惠照 王邹平 张冬冬 黄英龙 
国家自然科学基金重大研究计划资助项目(90201025);国家自然基金资助项目(90301002)
采用浸渍法在未抛光的硅衬底上涂抹一层NiCl2薄膜，通过化学气相沉积法（CVD）制备出高质量的GaN纳米线和纳米棒。X射线衍射（XRD）、傅立叶红外吸收光谱（FTIR）、选区电子衍射（SAED）和高分辨透射电子显微镜（HRTEM）的分析结果表明...
关键词：GAN纳米结构 NiCl2 CVD 
退火温度和ZnO缓冲层对氨化Ga_2O_3/ZnO薄膜合成GaN纳米结构的影响被引量：1
《材料科学与工程学报》2006年第4期568-570,591,共4页王书运 庄惠照 高海永 
国家自然科学基金资助项目(90301002)
利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射ZnO缓冲层,再溅射Ga2O3薄膜,然后在开管炉中不同温度下通氨气进行氨化反应生长GaN薄膜。分析结果表明,利用该方法制备的GaN薄膜是六角纤锌矿多晶结构,并且随着氨化温度的升高,GaN薄膜向棒状和...
关键词：射频磁控溅射 GAN薄膜 ZnO缓冲层 氨化反应 
GaN纳米结构的制备被引量：5
《稀有金属》2004年第3期455-457,共3页马洪磊 杨莺歌 薛成山 马瑾 肖洪地 刘建强 
提出一种通过对溅射Ga2 O3薄膜后氮化技术制备GaN纳米结构的方法 ,已成功地制备出GaN纳米线、纳米棒和纳米带。该方法既不需要催化剂 ,也不需要模板限制 ,不仅避免了杂质污染 ,而且简化了纳米结构的制造工艺 ,对于纳米结构的应用非常有...
关键词：GAN 纳米结构 制备 后氮化技术 
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