杨玮

作品数：2被引量：3H指数：1
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供职机构：新疆大学物理科学与技术学院更多>>
发文主题：GAN化学气相沉积法纳米线GAN纳米结构设计性实验更多>>
发文领域：理学一般工业技术更多>>
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化学气相沉积法制备GaN纳米结构设计性实验被引量：3
《物理实验》2011年第2期1-5,共5页孙言飞 杨玮 简基康 
新疆大学21世纪高等教育教学改革项目(No.XJU2008JGZ08)
在无催化剂辅助条件下,采用化学气相沉积法生长了GaN纳米线.通过调整衬底、NH3气流、生长时间等,实现了半导体GaN纳米线的生长以及形貌调控.用X射线衍射仪和扫描电子显微镜对产物的物相及形貌进行了表征.获得了合成GaN纳米线的优化条件.
关键词：GAN 纳米线 化学气相沉积法 
多孔硅衬底上无催化剂制备GaN纳米线
《新疆大学学报（自然科学版）》2010年第4期469-472,共4页杨玮 吕小毅 吴荣 郑毓峰 孙言飞 简基康 
国家自然科学基金资助项目(No.10864004;No.50862008);新疆大学博士启动基金资助项目(No.BS080109);自治区高校科研计划科学研究重点项目(XJEDU2008I05)
采用化学气相沉积(CVD)法,在1050℃的温度下,以多孔硅(PS)为衬底,成功地制备出GaN纳米线.采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线能量色散谱(EDS)和光致发光(PL)谱对样品的物相、形貌、成分及发光性质进行了分析.研究结果表明...
关键词：化学气相沉积法 GAN 纳米线 多孔硅 
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