ZnS掺Mn的电子结构研究  

Study on Electronic Structure of ZnS:Mn 2+

作　　者：沈汉鑫[1] 沈耀文[2] 

机构地区：[1]龙岩师范高等专科学校计算机系,福建龙岩364000 [2]厦门大学物理系,福建厦门361005

出　　处：《高压物理学报》2003年第1期65-68,共4页Chinese Journal of High Pressure Physics

基　　金：20 0 2年福建省教育厅科技项目 (JA0 2 2 6 2 );龙岩师范高等专科学校自然科学研究项目 (ZR3)

摘　　要：用自旋极化的LSD LMTO(Local Spin DensityLinearMuffin Tin OrbitalMethod)方法 ,对ZnS掺入Mn发光中心的电子结构进行了大型超原胞模拟计算。在自洽收敛的条件下 ,先对纯ZnS调节计算参数 (原子球、空球占空比 ) ,使计算的带隙Eg=3.2 3eV ;然后用原子球替代方式自洽计算杂质密度在Eg 中的相对位置 ,模拟计算了在六角结构ZnS中掺入不同浓度的Mn杂质后有关的杂质能级在Eg 中的相对位置。计算结果表明 :( 1 )单个缺陷的杂质能级性质与配位场理论结果相符合 ,直接用杂质态密度来表示 ;( 2 )掺入杂质的浓度对杂质能级位置的影响不大 ,这与实验结果相一致。The electronic structures of Mn 2+ luminescence centers in Mn-doped ZnS are studied by using first-principles linear muffin-tin-orbital method combining atomic sphere approximation.The calculated results for ZnS:Mn 2+ show that the property of impurity energy level for single bug satisfies the theory of crystal potential field,and the influence of impurity energy level caused by concentration of impurity is not evident,which is consistents with the experiment results.

关 键 词：ZNS 掺Mn 电子结构 超原胞 杂质能级 发光中心 硫化锌 锰掺杂 半导体纳米材料 

分 类 号：TN304.22[电子电信—物理电子学] TB383[一般工业技术—材料科学与工程]