随机背景极化电荷对单电子电路影响的分析  

Analysis of the Influence of Random Background Charge on SED Circuits

作　　者：王伟[1] 张海黔[1] 顾宁[1] 

机构地区：[1]东南大学分子与生物分子电子学教育部重点实验室,南京210096

出　　处：《固体电子学研究与进展》2003年第1期14-17,共4页Research & Progress of SSE

基　　金：国家自然科学基金重大项目 (69890 2 2 0 );教育部优秀青年教师科研教学奖励计划 (1999年 )

摘　　要：根据单电子现象的半经典理论 ,采用 Monte Carlo方法 ,对三种 SED电路进行模拟 ,结果发现 ,多岛单电子电路具有较强的抑制背景电荷极化效应的能力。Based on the semi-classical theory of single electron phenomena, three circuits of SED were studied and compared with Monte Carlo simulation. The simulating results indicate that multi-islands single electron circuits is more robust to random background charge effects.

关 键 词：单电子 随机背景极化电荷 MONTE CARLO模拟 集成电路 电荷极化效应 

分 类 号：TN402[电子电信—微电子学与固体电子学]