CMOS FinFET Fabricated on Bulk Silicon Substrate  

体硅衬底上的CMOS Fin FET(英文)

作　　者：殷华湘[1] 徐秋霞[1] 

机构地区：[1]中国科学院微电子中心,北京100029

出　　处：《Journal of Semiconductors》2003年第4期351-356,共6页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金 (批准号 :60 1760 10 );和国家"973"计划 ( No.G2 0 0 0 3 65 0 4)资助项目~~

摘　　要：A CMOS FinFET fabricated on bulk silicon substrate is demonstrated.Besides owning a FinFET structure similar to the original FinFET on SOI,the device combines a grooved planar MOSFET in the Si substrate and the fabrication processes are fully compatible with conventional CMOS process,including salicide technology.The CMOS device,inverter,and CMOS ring oscillator of this structure with normal poly silicon and W/TiN gate electrode are fabricated respectively.Driving current and sub threshold characteristics of CMOS FinFET on Si substrate with actual gate length of 110nm are studied.The inverter operates correctly and minimum per stage delay of 201 stage ring oscillator is 146ps at V d=3V.The result indicates the device is a promising candidate for the application of future VLSI circuit.介绍了一种制作在普通体硅上的 CMOS Fin FET.除了拥有和原来 SOI上 Fin FET类似的 Fin FET结构 ,器件本身在硅衬底中还存在一个凹槽平面 MOSFET,同时该器件结构与传统的 CMOS工艺完全相容 ,并应用了自对准硅化物工艺 .实验中制作了多种应用该结构的 CMOS单管以及 CMOS反相器、环振电路 ,并包括常规的多晶硅和 W/Ti N金属两种栅电极 .分析了实际栅长为 110 nm的硅基 CMOS Fin FET的驱动电流和亚阈值特性 .反相器能正常工作并且在 Vd=3V下 2 0 1级 CMOS环振的最小延迟为 14 6 ps/门 .研究结果表明在未来 VL

关 键 词：FINFET GROOVE design FABRICATION device characteristics CMOS bulk Si substrate 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学]