溅射后退火反应法制备GaN薄膜的结构与发光性质  

Preparation and Properties of GaN Films on GaAs (110) Substrates

作　　者：杨莺歌[1] 马洪磊[1] 薛成山[2] 庄惠照 郝晓涛[1] 马瑾[1] 

机构地区：[1]山东大学物理与微电子学院,济南250100 [2]山东师范大学半导体研究所,济南250014

出　　处：《Journal of Semiconductors》2003年第4期387-390,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金资助项目 (批准号 :67710 0 6)~~

摘　　要：报道了用溅射后退火反应法在 Ga As (110 )衬底上制备 Ga N薄膜 .XRD、XPS、TEM测量结果表明该方法制备的 Ga N是沿 c轴方向生长的六角纤锌矿结构的多晶薄膜 .PL测量结果发现了位于 36 8nm处的室温光致发光峰 .High quality GaN films are prepared by sputtering post annealing reaction technique on GaAs (110) substrates.Measurement results by XRD,XPS,and TEM indicate that the polycrystalline crystal GaN with hexagonal structure is successfully grown.An intense room temperature photoluminescence peak at 368nm of the films is observed.

关 键 词：溅射 退火 GAN薄膜 结构 光致发光 氮化镓(110)晶面 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学]