一台专用强流氧离子注入机的研制  

作　　者：唐景庭[1] 伍三忠[1] 贾京英[1] 郭健辉[1] 刘咸成[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第四十八研究所,410111

出　　处：《集成电路应用》2003年第2期66-70,共5页Application of IC

摘　　要：制备SOI材料的SIMOX技术因其工艺简单、易控制、重复性好、成本低、易向商业化过渡等优点而引起了SOI材料界更为广泛的关注。SIMOX技术所需要的最关键的设备就是大束流专用氧离子注入机。专用氧离子注入机与常规离子注入机有较大的区别:注氧时间长,注入剂量大,注入过程中要求晶片保持600℃左右的高温,金属污染非常低。本文着重介绍一台专用强流氧离子注入机主要结构单元的研制方法及工艺试验结果分析。

关 键 词：S0I材料 SIMOX技术 氧离子注入机 高温靶室 离子源 金属污染 

分 类 号：TN304.05[电子电信—物理电子学] TN305.3