SiGe/Si材料及其在微电子学中的应用  

作　　者：邓志杰[1,2] 郑安生[1,2] 俞斌才[1,2] 

机构地区：[1]北京有色金属研究总院 [2]国瑞电子材料有限责任公司

出　　处：《中国集成电路》2003年第44期76-79,41,共5页China lntegrated Circuit

摘　　要：Si 和 Ge 是开发最早、生产工艺最为成熟的半导体材料,用它们的合金或异质结材料来提升单纯Si 或单纯 Ge 材料及其器件的性能是人们自然的追求。1984年贝尔实验室首先用分子束外延(MB)E 技术生长出高质量的应变 SiGe/Si 异质结;1987年IBM 等4家公司几乎同时研制出 SiGe/Si

关 键 词：SIGE Si材料 微电子学 晶格常数 失配率 硅材料 硅锗材料 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学]