郑安生

作品数：19被引量：24H指数：3
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供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
发文主题：单晶GAAS单晶生长砷化镓单晶材料更多>>
发文领域：电子电信一般工业技术理学电气工程更多>>
发文期刊：《硅酸盐学报》《稀有金属》《中国集成电路》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家高技术研究发展计划河北省科技计划项目更多>>
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烧结工艺对镁铝尖晶石透明陶瓷物相、显微结构及光学性能的影响
《硅酸盐学报》2022年第12期3230-3235,共6页郭立 赵永田 石红春 曹波 刘宇阳 陈观通 郑安生 马远飞 林泉 刘晓华 
有研科技集团有限公司科技创新基金(2020TS0204);有研新材料股份有限公司科技创新基金(G2021KC0202)。
镁铝尖晶石透明陶瓷是一种优异的中红外材料,被广泛应用在军事领域和民用领域,具有典型的军民通用特点。本工作研究了烧结工艺对镁铝尖晶石透明陶瓷物相、显微结构及光学性能的影响,确定了适合高质量镁铝尖晶石透明陶瓷烧结工艺路线,对...
关键词：镁铝尖晶石透明陶瓷 热压 热等静压 物相分析 显微结构 光学性能 
高纯锗晶体的研究进展被引量：6
《稀有金属》2020年第8期876-885,共10页朱显超 林泉 马远飞 霍承松 冯德伸 郑安生 
河北省科技计划项目(15211103D)资助。
高纯锗晶体是制备工艺复杂难度较大的高端光电材料。高纯锗晶体可用于制作高纯锗探测器,在核物理、粒子物理、天体物理、核安全、微量元素分析、安检及国防等领域具有广泛应用。随着国内外核电和暗物质探测实验的快速发展,对高纯锗探测...
关键词：高纯锗晶体 多晶制备 单晶生长 高纯锗探测器 
VGF法GaAs单晶生长中热通量对固液界面形状的影响被引量：1
《稀有金属》2019年第10期1068-1074,共7页边义午 郑安生 林泉 龙彪 张廷慧 
河北省重大科技成果转化专项项目(13040603Z)资助
采用专业的晶体生长模拟软件CGSim模拟了垂直梯度凝固法(VGF)GaAs单晶生长过程中固液界面形状及其变化;分析了生长过程中界面上不同位置的热通量及其变化,并利用能量守恒关系,分析了热通量对固液界面形状的影响,改进了前人在忽略凝固或...
关键词：垂直梯度凝固法 砷化镓 数值模拟 固液界面 电学均匀性 
化合物半导体材料的光电应用现状被引量：2
《稀有金属》2004年第3期563-568,共6页郑安生 邓志杰 俞斌才 
在整个化合物半导体工业中 ,光电子工业一直占主导地位。本文概述了化合物半导体材料在发光二极管 (LED)、激光二极管 (LD)、太阳电池 (SC)和光探测器 (PD)方面的应用现状及发展趋势。以高亮度LED为基础的固态光源由于有着巨大的经济效...
关键词：化合物半导体材料 光电器件 发光二极管 激光二极管 太阳电池 光探测器 量子结构 
退火对GaAs窗口晶体力学性能的影响
《Journal of Semiconductors》2004年第1期43-47,共5页黎建明 屠海令 郑安生 
在 L EC Ga As晶片中 ,存在相当大的弹性应变 ,在高温退火后 ,晶片的晶格参数的相对变化量不到原生晶片的 70 % ,残余应力得以部分释放 ,从而减小残余应力诱生断裂的可能性 ,提高了 Ga As晶体的断裂模数 .原生 Ga As晶体加工的样品的断...
关键词：GAAS 断裂模数 退火 
SiGe/Si材料及其在微电子学中的应用被引量：2
《中国集成电路》2003年第44期76-79,41,共5页邓志杰 郑安生 俞斌才 
Si 和 Ge 是开发最早、生产工艺最为成熟的半导体材料,用它们的合金或异质结材料来提升单纯Si 或单纯 Ge 材料及其器件的性能是人们自然的追求。1984年贝尔实验室首先用分子束外延(MB)E 技术生长出高质量的应变 SiGe/Si 异质结;1987年I...
关键词：SIGE Si材料 微电子学 晶格常数 失配率 硅材料 硅锗材料 
GaAs高温退火过程中热应力对晶体缺陷的影响被引量：1
《Journal of Semiconductors》2003年第9期933-936,共4页黎建明 屠海令 胡广勇 王超群 郑安生 钱嘉裕 
用X射线衍射技术分析在高温退火过程中GaAs晶片和石墨接触区域的热应力对晶体缺陷的影响 .结果表明 :在高温退火条件下 ,GaAs晶体与石墨接触区域散热不均匀造成的热应力 ,致使该区域范性形变 ,从而产生高密度的位错 .GaAs晶体中的刃型...
关键词：GAAS 退火 小角晶界 三轴晶模式衍射 
GaAs窗口晶体位错分布及其对红外透射的影响
《矿业研究与开发》2003年第S1期199-201,共3页黎建明 屠海令 郑安生 
LEC法生长的轻掺铬高阻GaAs 晶体熔融KOH腐蚀坑SEM观察结果表明,轻掺Cr-GaAs晶体位错的径向分布呈“W”型。这是由于GaAs单晶生长过程中,晶体中的热弹应力的“W”分布和位错大量增殖时所需的临界应力共同作用的结果。红外透射测量结果表...
关键词：GAAS晶体 SEM 位错分布 红外透射 
半绝缘InP单晶及其在微电子器件中的应用
《中国集成电路》2002年第11期88-91,共4页邓志杰 郑安生 俞斌才 
前言 InP是最早被制备出来的Ⅲ-Ⅴ族化合物,早在1910年,A.Fhill就合成出InP,但对其性质和制备工艺深入研究,则是1952年以后才开始的。 InP与GaAs一样,不仅是重要的半导体光电材料(例如,它是目前长距离光纤通信中所用激光器,光探测器唯...
关键词：单晶材料 半绝缘材料 单晶生长 光探测器 电阻率 生长过程 衬底材料 批量生产 温度梯度 工艺技术 
X射线三轴晶衍射法测量半绝缘GaAs单晶的化学配比被引量：1
《Journal of Semiconductors》2002年第11期1187-1191,共5页黎建明 屠海令 胡广勇 王超群 郑安生 钱嘉裕 
采用 X射线三轴晶衍射法 ,根据 As间隙原子对作为过量 As在 Ga As单晶材料中存在的主要形式的模型 ,可以无损、高精度测量半绝缘 Ga As单晶的化学配比 .并探讨了引起晶格变化的原因及其与熔体组分的关系 ,对于制备高质量 Ga As单晶及其...
关键词：X射线 晶格参数 化学配比 双晶衍射 三轴晶模式衍射 砷化镓 
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