半绝缘InP单晶及其在微电子器件中的应用  

作　　者：邓志杰[1,2] 郑安生[1,2] 俞斌才[1,2] 

机构地区：[1]北京有色金属研究总院 [2]国瑞电子材料有限责任公司

出　　处：《中国集成电路》2002年第11期88-91,共4页China lntegrated Circuit

摘　　要：前言 InP是最早被制备出来的Ⅲ-Ⅴ族化合物,早在1910年,A.Fhill就合成出InP,但对其性质和制备工艺深入研究,则是1952年以后才开始的。 InP与GaAs一样,不仅是重要的半导体光电材料(例如,它是目前长距离光纤通信中所用激光器,光探测器唯一实用的材料)

关 键 词：单晶材料 半绝缘材料 单晶生长 光探测器 电阻率 生长过程 衬底材料 批量生产 温度梯度 工艺技术 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]