ZnS／ZnSe多量子阱的光调制测试  

作　　者：刘大力[1] 李公羽[2] 杜国同[1] 张景林[1] 张源涛[1] 李万成[1] 

机构地区：[1]吉林大学集成光电子国家重点联合实验室，长春130012 [2]吉林大学通信工程学院，长春130012

出　　处：《光子学报》2002年第0Z2期40-42,共3页Acta Photonica Sinica

摘　　要：以DMZn、H2Se和H2S为源，用Ap-MOCVD法在GaAs(100)衬底上生长出了ZnS／ZnSe超晶格量子阱，并用X射线衍射等方法鉴定了超晶格量子阱结构，在带蚀孔的衬底的ZnS／ZnSe超晶格量子阱上，首次观测到皮秒量级的光光调制现象。

关 键 词：ZnS/ZnSe多量子阱 光调制 测试 Ap-MOCVD法 超晶格 硫化锌 硒化锌 X射线衍射 非线性光学 半导体材料 

分 类 号：TN304.22[电子电信—物理电子学] O47[理学—半导体物理]