加固的MOS/SOS集成电路抗γ瞬态辐照的最新实验结果  

The Latest Experimental Results of.-Transient:Radiationr of Hardened MOS/SOS IC's

作　　者：刘荣寰[1] 刘忠立[1] 茅冬生[1] 和致经[1] 于芳[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所,北京100083

出　　处：《核电子学与探测技术》1992年第2期114-119,共6页Nuclear Electronics & Detection Technology

摘　　要：本文介绍了三个MOS/SOS集成电路,即SC4082,SC4066和SC1416的抗γ瞬态辐照的最新实验结果。其中SC4082和SC4066是类似相应体硅4000系列的CMOS/SOS电路,而SC1416是类似MC1416的高压NMOS/SOS电流驱动器。这些电路在我们早先的文章中有过介绍,但这次实验的样品,在加固上作了一些新的考虑,特别是输入保护电路作了较大的改进。

关 键 词：MOS/SOS 集成电路 瞬态辐照 加固 

分 类 号：TN406[电子电信—微电子学与固体电子学]