刘荣寰

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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：集成电路GAP放电间隙发光效率过压保护更多>>
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GaP∶NLPE片的纵向载流子浓度分布
《稀有金属》1999年第6期471-473,共3页李桂英 刘荣寰 杨锡震 王亚非 桑丽华 
阐述了ＧａＰ∶ＮＬＰＥ片纵向载流子浓度分布的测量方法， 探讨了各层载流子浓度和载流子浓度分布对发光效率的影响。
关键词：GaP:NLPE 载流子 浓度分布 发光效率 
加固的MOS/SOS集成电路抗γ瞬态辐照的最新实验结果
《核电子学与探测技术》1992年第2期114-119,共6页刘荣寰 刘忠立 茅冬生 和致经 于芳 
本文介绍了三个MOS/SOS集成电路,即SC4082,SC4066和SC1416的抗γ瞬态辐照的最新实验结果。其中SC4082和SC4066是类似相应体硅4000系列的CMOS/SOS电路,而SC1416是类似MC1416的高压NMOS/SOS电流驱动器。这些电路在我们早先的文章中有过介...
关键词：MOS/SOS 集成电路 瞬态辐照 加固 
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