李桂英

作品数：5被引量：1H指数：0
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p^+-n^--n结的势垒分布被引量：1
《液晶与显示》2001年第1期48-51,共4页赵普琴 杨锡震 李桂英 王亚非 
国家科委预研项目
GaP∶N绿色LED发光效率的提高有赖于对其结构参数的优化。 根据载流子分布的连续性， 由泊松方程自洽求解， 得出了半导体n^-－n结势垒分布的计算方法。 在此基础上，计入n^-区内的电位降， 计算了商用发光二极管p^+－n^-－n结构的势垒...
关键词：发光二级管 势垒 掺氮磷化镓 P-N结 
GaP∶NLPE片的纵向载流子浓度分布
《稀有金属》1999年第6期471-473,共3页李桂英 刘荣寰 杨锡震 王亚非 桑丽华 
阐述了ＧａＰ∶ＮＬＰＥ片纵向载流子浓度分布的测量方法， 探讨了各层载流子浓度和载流子浓度分布对发光效率的影响。
关键词：GaP:NLPE 载流子 浓度分布 发光效率 
GaP:N LED p型层厚度的优化
《发光学报》1999年第1期1-3,共3页李桂英 杨锡震 王亚非 李永良 赵普琴 孙寅官 
实测数据表明：ＧａＰＮ发光二极管（ＬＥＤ）ｐ型层厚度ｄ为１２～１７μｍ时，管芯光强最高．ｄ增大，一方面可使表面复合的影响减小，提高内量子效率；另一方面又会使内吸收增大，降低抽取效率．综合考虑这两方面的影响，选取有关参数。
关键词：结构优化 发光二极管 磷化镓 厚度 P型层 
GaP:N LPE片的位错对发光亮度的影响
《发光学报》1999年第1期4-6,共3页李桂英 李永良 王亚非 杨锡震 孙寅官 
用化学腐蚀配合扫描电镜（ＳＥＭ）对几种不同来源的国产ＧａＰＮ液相外延（ＬＰＥ）材料及各自的衬底的位错密度ＮＤ和发光亮度进行了测量．结果表明：样品的发光亮度随ＬＰＥ层的ＮＤ降低而升高，降低衬底的ＮＤ可降低ＬＰＥ层的ＮＤ．
关键词：位错密度 发光二极管 LPE 发光性能 磷化镓 
GaP单晶衬底的位错密度对LED用LPE材料的影响
《稀有金属》1997年第5期389-391,共3页李桂英 杨锡震 孙寅官 王亚非 
ＧａＰ单晶衬底的位错密度对ＬＥＤ用ＬＰＥ材料的影响李桂英杨锡震孙寅官王亚非（北京师范大学物理系，北京１００８７５）关键词：ＧａＰＬＥＤ位错ＬＰＥ１前言高效率绿色发光二极管（ＬＥＤ）的少数载流子扩散长度接近７μｍ［１］...
关键词：位错 磷化镓 单晶 衬底 发光二极管 外延生长 
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