GaP单晶衬底的位错密度对LED用LPE材料的影响  

作　　者：李桂英[1] 杨锡震[1] 孙寅官[1] 王亚非[1] 

机构地区：[1]北京师范大学物理系

出　　处：《稀有金属》1997年第5期389-391,共3页Chinese Journal of Rare Metals

摘　　要：ＧａＰ单晶衬底的位错密度对ＬＥＤ用ＬＰＥ材料的影响李桂英杨锡震孙寅官王亚非（北京师范大学物理系，北京１００８７５）关键词：ＧａＰＬＥＤ位错ＬＰＥ１前言高效率绿色发光二极管（ＬＥＤ）的少数载流子扩散长度接近７μｍ［１］。当外延层的位错密度过高时，位错间...

关 键 词：位错 磷化镓 单晶 衬底 发光二极管 外延生长 

分 类 号：TN310.4[电子电信—物理电子学]