带超薄氮化硅栅介质的p—MOSEFT的热载流子可靠性  

出　　处：《电子产品可靠性与环境试验》2003年第2期69-69,共1页Electronic Product Reliability and Environmental Testing

关 键 词：p-MOSEFT 热载流子 可靠性 晶体管 超薄氮化硅栅介质 栅漏电流 

分 类 号：TP386.1[自动化与计算机技术—计算机系统结构]