过渡金属Ag、Ir和Re搀杂硅半导体团簇的电子结构和性质的理论研究  

Theoretical Investigation on Electronic Structures and Properties of Transition Metal Ag, Ir and Re Doping into Si Clusters

作　　者：韩聚广[1] 张鹏飞[1] 

机构地区：[1]中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥230029

出　　处：《科学技术与工程》2003年第3期310-311,共2页Science Technology and Engineering

基　　金：国家自然科学基金(20173055)

摘　　要：半导体团簇由于其在微电子工业的应用倍受人们关注;而过渡金属搀杂在半导体Si和Ge材料形成不同于原来材料性质的新材料,因此引起了物理化学界的广泛关注和兴趣[1-9].

关 键 词：硅半导体团簇 电子结构 电荷转移微观机制 稳定性 过渡金属 AG IR RE 搀杂 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学] O47[理学—半导体物理]