功率半导体器件芯片双面多层金属化技术及应用  

Double-side multilayer metallization for power semiconductor slice

作　　者：唐晓颖 叶婵 宫艳娟 

机构地区：[1]哈尔滨晶体管厂

出　　处：《森林工程》2003年第4期36-37,共2页Forest Engineering

基　　金：黑龙江省自然科学基金项目 (F0 0 0 1)资助

摘　　要：本文主要阐述了功率半导体器件芯片双面多层金属化技术及正面多层金属的光刻技术 ,并通过对2CK3891、 2CK390 1硅大电流开关二极管的成功应用 ,证明了该技术的科学性、合理性。The technology of double-side multilayer metallization to power semiconductor slice and photo etching technology are expounded in the paper. And it has been applied to the 2CK3891 and 2CK3901 successfully. It proves that the technology is scientific and rational.

关 键 词：功率半导体器件芯片 双面多层金属化技术 正面多层金属化技术 光刻技术 蒸镀技术 2CK3891 2CK3901 硅大电流开关二极管 

分 类 号：TN492[电子电信—微电子学与固体电子学] TN305.7