单电子晶体管及其基本特性的仿真分析  

SINGLE ELECTRON TRANSISTOR AND SIMULATION ANALYSIS OF IT′S BASIC CHARACTERISTICS

作　　者：陈学军[1] 蔡理[1] 

机构地区：[1]空军工程大学工程学院,陕西西安710038

出　　处：《青岛大学学报（工程技术版）》2003年第2期5-8,共4页Journal of Qingdao University(Engineering & Technology Edition)

基　　金：陕西省自然科学研究基金资助项目(2002F34)

摘　　要：提出了一种应用PSpice仿真SET的方法,该方法通过所设计的宏模型可实现SET的基本特性仿真。仿真结果表明,所设计的宏模型具有合理的精确度。A simulation method for SETs by applying PSpice is presented.With the designed macromodel,the basic characteristics of SETs is simulated.The simulation results show that the macromodel is reasonably precise.

关 键 词：单电子晶体管 仿真 SPICE宏模型 工作原理 库仑阻塞效应 量子隧穿效应 量子尺寸效应 库仑振荡 库仑台阶 

分 类 号：TN32[电子电信—物理电子学]