SPICE宏模型

作品数：16被引量：16H指数：2
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数据手册和SPICE宏模型，该以何者为重？
《电子设计技术 EDN CHINA》2009年第8期13-13,共1页John Ardizzoni 
问题：在对贵公司的一个放大器进行SPICE（侧重于集成电路的仿真程序）仿真时，得到的结果与数据手册给出的结果不同，我应该以何者为重呢？
关键词：SPICE宏模型 手册 仿真程序 集成电路 放大器 
一种SET的SPICE宏模型及SET／CMOS混合系统仿真研究
《河北大学学报（自然科学版）》2009年第1期95-98,共4页马彦芬 杨晓光 孙铁署 
基于单电子晶体管(SET)数学分析模型,改进了它的SPICE宏模型.该模型考虑了背景电荷的影响,由1个电压控制电流源、1个电压控制电压源构成.与准分析模型相比较,该模型准确地表现了SET的I-U特性.通过A/D转换器的仿真实例表明,所设计的3位SE...
关键词：SET SPICE宏模型 I-U特性 SET/CMOS混合系统 A/D 
基于Ga-SbTe的高性能相变存储单元的设计和仿真
《功能材料与器件学报》2008年第6期988-994,共7页尹文 程秀兰 
国家973计划资助(2003CB314702);国家自然科学基金资助项目(60571004;90406024)
相变存储器(PCM)因依靠电阻率的变化来存储的模式,成为65nm以下非易失存储器应用的研究热点。然而,相变存储器的擦写功耗、复位电压、热稳定性和擦写寿命一直是相变存储器发展的几个瓶颈。对此,设计了一种基于相变合金Ga3Sb8Te1的新型...
关键词：相变存储器 瞬态热学仿真 结晶动力学 SPICE宏模型 
35KCMOS器件LDD结构的SPICE宏模型被引量：2
《红外与毫米波学报》2008年第6期465-469,共5页刘文永 丁瑞军 冯琪 
预先研究(61501050303)资助项目
针对BSIM3v3模型在35K低温下无法模拟LDD(轻掺杂漏区)所引起的串联电阻异常,提出了可以模拟这一异常的SPICE宏模型.通过修改CMOS器件常温BSIM3v3模型中的一些与温度有关的参数值,得到35K BSIM3v3模型.模拟结果表明,根据此模型进行参数...
关键词：轻掺杂漏区 串联电阻 BSIM3V3 SPICE模型 CMOS 低温 
半导体技术
《中国学术期刊文摘》2008年第12期159-165,共7页
钒掺杂形成半绝缘6H-SiC的补偿机理，氧化Si基Ga2O3／Co薄膜合成GaN纳米线及其表征，高压pLEDMOS器件在不同应力条件下导通电阻的衰退及改进方法，一种新型的基于滑膜阻尼的电容式双向MEMS惯性传感器。
关键词：半导体技术 SPICE宏模型 6H-SIC GAN纳米线 GA2O3 MOS器件 惯性传感器 补偿机理 
一种新颖的功率MOSFET SPICE宏模型被引量：1
《微电子学》2006年第4期407-410,共4页曾天志 张波 罗萍 蒲奎 赵露 
提出了一种新颖的功率MOSFET宏模型结构,详细介绍了宏模型建立的整个流程;并将此模型的仿真结果与实验数据进行比较,验证了模型的精度。此模型考虑了功率MOSFET必要的二阶效应,并采用行为级模型来处理JFET电阻。
关键词：功率MOSFET 宏模型 二阶效应 JFET电阻 行为级模型 
基本数字时序电路Spice宏模型的建立
《实验科学与技术》2006年第B12期12-14,共3页沈磊 
提出了在SPICE中建立数字时序电路宏模型的新方法。模型主要由受控源搭建而成,结构简单、仿真速度快,并且精度高,在SPICE仿真中大量用到,有良好的应用价值。文中主要讨论常用时序逻辑模型(D锁存器、D触发器和T触发器)的建立。
关键词：宏模型 数字电路模型 SPICE模型 时序电路模型 
宽温度范围的轨到轨运算放大器
《今日电子》2005年第5期103-103,共1页
MCP623X和MCP624X系列轨到轨输入／输出运算放大器的带宽为10kHz～10MHz，有单运放、双运放及四运放器件可供选择。工作温度为-40～+125℃，工作电压可低至1．8V，在带宽为300kHz时的典型电流为20μA，带宽为650kHZ时为50μA，并免费提...
关键词：运算放大器 轨到轨 宽温度范围 SPICE宏模型 输入/输出 有源滤波器 工作温度 工作电压 设计工具 带宽 X系列 四运放 器件 
一种基于互补型单电子晶体管的全加器电路设计被引量：9
《电子器件》2005年第2期366-369,共4页孙铁署 蔡理 
陕西省自然科学基金项目(2002F34);空军工程大学学术基金项目(2002X12)
基于单电子晶体管(SET)的IV特性和CMOS数字电路的设计思想,提出了一种由28个互补型SET构成的全加器电路结构。该全加器优点为:简化了“P-SET”逻辑块;通过选取一组参数使输入和输出高低电平都接近于0.02mV和0mV,电压兼容性好;延迟时间短...
关键词：单电子晶体管 互补 反相器 全加器 SPICE宏模型 
单电子晶体管全加器电路设计
《微纳电子技术》2005年第3期111-114,共4页马彦芬 
基于单电子晶体管(SET)的I-V特性和二叉判别图数字电路的设计思想,改进了二叉判别图(BDD))单元,得到了一类基本逻辑门电路,进而提出了一种由11个BDD)单元即22个SET构成的全加器电路单元。SPICE宏模型仿真结果验证了设计的正确性。
关键词：单电子晶体管 二叉判别图 全加器 SPICE宏模型 
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