孙铁署

作品数：10被引量：23H指数：3
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供职机构：中国人民解放军95809部队更多>>
发文主题：单电子晶体管互补型SPICE宏模型I-V特性SPICE模型更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程更多>>
发文期刊：《微电子学与计算机》《固体电子学研究与进展》《电路与系统学报》《河北大学学报（自然科学版）》更多>>
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一种SET的SPICE宏模型及SET／CMOS混合系统仿真研究
《河北大学学报（自然科学版）》2009年第1期95-98,共4页马彦芬 杨晓光 孙铁署 
基于单电子晶体管(SET)数学分析模型,改进了它的SPICE宏模型.该模型考虑了背景电荷的影响,由1个电压控制电流源、1个电压控制电压源构成.与准分析模型相比较,该模型准确地表现了SET的I-U特性.通过A/D转换器的仿真实例表明,所设计的3位SE...
关键词：SET SPICE宏模型 I-U特性 SET/CMOS混合系统 A/D 
基于单电子晶体管的数字滤波器硬件实现
《电路与系统学报》2006年第6期41-44,共4页孙铁署 蔡理 马彦芬 
陕西省自然科学基金项目(2002F34);空军工程大学学术基金项目(2002X12)
基于互补型单电子晶体管(SET)逻辑门,提出了SET加法器、移位寄存器和ROM的单元电路。在讨论数字滤波器硬件实现原理基础上,由这三个单元电路实现了一个二阶IIR滤波器。SET的SPICE宏模型验证了设计的正确性。
关键词：单电子晶体管 数字滤波器 互补型 加法器 移位寄存器 ROM 
一种基于互补型单电子晶体管的全加器电路设计被引量：9
《电子器件》2005年第2期366-369,共4页孙铁署 蔡理 
陕西省自然科学基金项目(2002F34);空军工程大学学术基金项目(2002X12)
基于单电子晶体管(SET)的IV特性和CMOS数字电路的设计思想,提出了一种由28个互补型SET构成的全加器电路结构。该全加器优点为:简化了“P-SET”逻辑块;通过选取一组参数使输入和输出高低电平都接近于0.02mV和0mV,电压兼容性好;延迟时间短...
关键词：单电子晶体管 互补 反相器 全加器 SPICE宏模型 
一种基于互补型单电子晶体管D触发器设计被引量：5
《河北大学学报（自然科学版）》2004年第6期652-656,共5页孙铁署 蔡理 马彦芬 
陕西省自然科学基金项目(2002F34);空军工程大学学术基金项目(2002X12)
基于单电子晶体管(SET)的I＿U特性和CMOS数字电路设计思想,提出了一类互补型SET逻辑门.在对由SET反相器构成的双稳态电路进行分析的基础上,提出了3种R＿S触发器,最终得出了D触发器.通过选取1组SET参数,使触发器输入和输出高低电平接近于...
关键词：单电子晶体管 互补型 R-S触发器 D触发器 
一种模拟小波变换的硬件实现方法
《河北工程技术高等专科学校学报》2004年第3期40-43,共4页马彦芬 孙铁署 郝国芬 
基于跨导线性原理,提出了一种应用Marr小波进行模拟变换的硬件实现方法。所设计的电路可实现小波窗函数的产生、逼近和二次微分。SPICE仿真结果表明,电路可产生良好的Gauss窗函数和Marr小波;通过控制电流和电容值即可实现小波尺度和位...
关键词：模拟小波 复变一阶系统 跨导线性 
单电子晶体管的I-V特性数学模型及逻辑应用
《微电子学》2004年第3期269-272,共4页孙铁署 蔡理 
陕西省自然科学基金项目(2002F34);空军工程大学学术基金项目(2002X12)
　基于正统单电子理论,提出了单电子晶体管的I-V特性数学算法改进模型。该模型的优点是:考虑了背景电荷的影响,可由实际物理参数直接获得,支持双栅极工作,便于逻辑电路的分析。研究了背景电荷和各物理参数对I-V特性及跨导的影响,讨论了...
关键词：单电子晶体管 背景电荷 双栅 异或 二叉判别图 
单电子晶体管积分器及其性能分析被引量：3
《固体电子学研究与进展》2004年第2期178-181,232,共5页陈学军 蔡理 孙铁署 
陕西省自然科学基金项目 ( 2 0 0 2 F3 4) ;空军工程大学学术基金项目 ( 2 0 0 2 X12 )
研究了单电子晶体管 ( Single electron transistor,SET) I-V特性的一种简化分析方法 ,在此基础上设计了 SET积分器 ,并阐述了该积分器的工作条件、结构、性能、参数和特点。仿真结果表明 ,该积分器的传输特性与采用其它两种方法描述 SE...
关键词：单电子晶体管 I-V特性 积分器 传输特性 
一种单电子晶体管的Spice模型被引量：10
《空军工程大学学报（自然科学版）》2003年第6期65-67,共3页孙铁署 蔡理 陈学军 
陕西省自然科学基金资助(2002F34);空军工程大学学术基金资助(2002X12)
基于单电子晶体管数学分析模型,提出了它的Spice模型。该模型由一个电压控制电流源、一个电压控制电压源和一个电压源构成。与半分析模型相比较,该模型准确地表现了单电子晶体管的I-V特性。利用该模型,分析了单电子反相器和改进了二叉...
关键词：单电子晶体管 SPICE模型 单电子反相器 二叉判别图 
单电子晶体管I-V特性数学建模
《微电子学与计算机》2003年第9期76-78,共3页孙铁署 蔡理 陈学军 
陕西省自然科学基金资助项目(2002F34);空军工程大学学术基金资助项目(2002X12)
基于正统单电子理论,提出了单电子晶体管的I-V特性数学模型。该模型的优点是:它由实际物理参数直接获得;支持双栅极工作,更利于逻辑电路应用。I-V特性和跨导仿真结果证实了它的准确性。
关键词：单电子晶体管 I-V特性 数学建模 隧穿电流 单电子电路 计算机模拟 
单电子晶体管及仿真实现方法
《河北工程技术高等专科学校学报》2003年第2期1-4,16,共5页孙铁署 蔡理 陈学军 
陕西省自然科学基金项目 (2 0 0 2 F34)
基于传统单电子理论 ,阐述了单电子晶体管的结构、原理、特点及应用。给出了三种仿真方法的具体实现过程 :解主方程方法、蒙特卡洛方法和 Spice宏模型方法 。
关键词：单电子晶体管 主方程 蒙特卡洛 SPICE宏模型 
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