单电子晶体管I-V特性数学建模  

A Mathematical Model of the I-V Property of Single-Electron Transistors

作　　者：孙铁署[1] 蔡理[1] 陈学军[1] 

机构地区：[1]空军工程大学工程学院,西安710038

出　　处：《微电子学与计算机》2003年第9期76-78,共3页Microelectronics & Computer

基　　金：陕西省自然科学基金资助项目(2002F34);空军工程大学学术基金资助项目(2002X12)

摘　　要：基于正统单电子理论,提出了单电子晶体管的I-V特性数学模型。该模型的优点是:它由实际物理参数直接获得;支持双栅极工作,更利于逻辑电路应用。I-V特性和跨导仿真结果证实了它的准确性。A mathematical model of the I-V property of single-electron transistors(SETs)is proposed based on the orthodox single-electron theory.It has some advantages:it is directly calculated by physical parameters,it can work in double-gate SET and the applications are promising in the logic circuits.The accuracy is validated by simulation results of the I-V property and transconductances.

关 键 词：单电子晶体管 I-V特性 数学建模 隧穿电流 单电子电路 计算机模拟 

分 类 号：TN32[电子电信—物理电子学]