一种单电子晶体管的Spice模型  

A Spice Model for Single-Electron Transistors

作　　者：孙铁署[1] 蔡理[1] 陈学军[1] 

机构地区：[1]空军工程大学工程学院,陕西西安710038

出　　处：《空军工程大学学报（自然科学版）》2003年第6期65-67,共3页Journal of Air Force Engineering University(Natural Science Edition)

基　　金：陕西省自然科学基金资助(2002F34);空军工程大学学术基金资助(2002X12)

摘　　要：基于单电子晶体管数学分析模型,提出了它的Spice模型。该模型由一个电压控制电流源、一个电压控制电压源和一个电压源构成。与半分析模型相比较,该模型准确地表现了单电子晶体管的I-V特性。利用该模型,分析了单电子反相器和改进了二叉判别图基本单元。A Spice model is proposed based on the physical model of single-electron transistors (SETs). It consists of a voltage-controlled current source, a voltage-controlled voltage source and a voltage source. Compared with quasi-analytical SET model, the I-V property of SET can be shown accurately. The single-electron inverter is investigated and the unit device for Binary Dicision Diagram (BDD) is improved.

关 键 词：单电子晶体管 SPICE模型 单电子反相器 二叉判别图 

分 类 号：TN321[电子电信—物理电子学]