Measurement of Cavity Loss and Quasi-Fermi-Level Separation for Fabry-Pérot Semiconductor Lasers  

FP腔半导体激光器的腔内损耗和准费米能级差的测量(英文)

作　　者：韩春林[1] 刘瑞喜[1] 国伟华[2] 于丽娟[2] 黄永箴[2] 

机构地区：[1]兰州大学物理科学与技术学院,兰州730000 [2]中国科学院半导体研究所,北京100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2003年第8期789-793,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家重点基础研究发展规划资助项目(No.G2 0 0 0 0 3 660 5 )~~

摘　　要：A fitting process is used to measure the cavity loss and the quasi Fermi level separation for Fabry Pérot semiconductor lasers.From the amplified spontaneous emission (ASE) spectrum,the gain spectrum and single pass ASE obtained by the Cassidy method are applied in the fitting process.For a 1550nm quantum well InGaAsP ridge waveguide laser,the cavity loss of about ～24cm -1 is obtained.利用一种拟合方法测量FP腔半导体激光器的腔内损耗和准费米能级差 .从放大的自发发射谱 ,利用Cassidy方法得到用于拟合过程的增益谱和单程放大的自发发射谱 .利用上述方法 ,测出的 15 5 0nmInGaAsP量子阱脊型波导结构激光器的腔内损耗大约为 2 4cm-1.

关 键 词：semiconductor lasers measurement technique cavity loss 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]