CdSe和ZnO量子点的拉曼光谱研究  

Raman Spectroscopy on CdSe and ZnO Quantum Dot

作　　者：阎研[1] 屈田[1] 王建朝[1] 张树霖[1] 郝少康[2] X.BZHang 袁方利[3] 黄淑荣[3] 

机构地区：[1]北京大学物理系,北京100871 [2]香港中文大学物理系 [3]中科院冶金所

出　　处：《光散射学报》2003年第2期75-77,共3页The Journal of Light Scattering

摘　　要：本文介绍了用拉曼光谱研究CdSe和ZnO两种Ⅱ Ⅳ族量子点材料的结果,对拉曼峰进行了指认。观察到的光学声子峰位的移动被认为是由量子限制效应引起。The paper reported the analysis of Raman spectroscopy on CdSe and ZnO quantum dot. All of the Raman peaks were assigned, and the shift of LO mode was considered as due to the quantum confinement effect.

关 键 词：CDSE ZNO 量子点 拉曼光谱 半导体材料 硒化镉 氧化锌 量子限制效应 

分 类 号：TN304.25[电子电信—物理电子学] O472.3[理学—半导体物理]