中子辐照CZ硅中缺陷的光致发光研究  

作　　者：李伟[1] 刘彩池[1] 徐岳生[1] 

机构地区：[1]河北工学院材料研究中心,天津300130

出　　处：《科学通报》1992年第11期1051-1052,共2页Chinese Science Bulletin

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：一、引言 近年来,随着缺陷工程的发展,有关CZ硅辐照缺陷的研究得到了极大的关注。中子辐照缺陷,一方面可起到提高半导体器件抗辐射能力的作用;另一方面可抑制器件加工过程中有害缺陷的生成。目前,光致发光(PL)作为表征半导体材料的一种有效手段得到了广泛的应用。研究光致发光谱可认识材料的一系列物理过程和性质,还可获得有关局域态的知识,

关 键 词：中子辐照 CZ硅 光致发光 缺陷 硅 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学]