等离子体源离子注入高聚物薄膜电性能的改变  

作　　者：吴知非[1] 施云城 陈惠敏 陈英方[1] 

机构地区：[1]中国纺织大学,上海200051 [2]南通纺织工学院

出　　处：《科学通报》1992年第13期1232-1234,共3页Chinese Science Bulletin

基　　金：国家自然科学基金资助项目

摘　　要：一、引言 离子注入技术及低温等离子体技术都应用于材料的表面改性工作。等离子体源离子注入(PSII)是将二者结合起来的的一种表面改性新方法,它在浸沉于等离子体中的靶极上加负高压脉冲,故正离子可从任意方向打到靶极以达到离子注入的目的。它与常规离子注入相比,既可省离子加速器,又可不用离子束扫描装置及样品转动装置。又因它不是“视线型”的,故对形状复杂的样品,更显其优越性。它注入均匀、效率高且操作方便、成本低,是一种具有发展前途的新技术。

关 键 词：离子注入 薄膜 电性能 高聚物 

分 类 号：TQ320.721[化学工程—合成树脂塑料工业]