硅衬底RF集成电路螺旋电感品质因数Q的优化  

Optimizing Q of Spiral Inductor on Silicon for RF IC's

作　　者：潘瑞[1] 毛军发[1] 王彬[1] 

机构地区：[1]上海交通大学电子工程系,上海200030

出　　处：《高技术通讯》2003年第7期6-10,共5页Chinese High Technology Letters

基　　金：863计划 ( 863 SOC Y 3 3 2 );国家自然科学基金 ( 60 0 2 5 10 3 ;699710 15 )资助项目

摘　　要：详细分析了RF集成电路硅衬底螺旋电感 (SIOS)的一种物理模型 ,该模型考虑了衬底效应。通过MATLAB仿真 ,得出了衬底损耗对螺旋电感品质因数Q的影响。在此基础上对金属线宽和线间距进行了严格的数值优化 ,实现了在设计要求不变的前提下螺旋电感Q的优化 ,并进一步推导出了最优化线圈宽度的近似解析式。采用优化结果进行设计 。A physical model of spiral inductor on silicon(SIOS) for RF integrated circuit is analyzed,and the substrate losses are considered. The influence of substrate losses is analysed by simulating the model with MATLAB. The optimized Q is realized through numerically optimizing metal width w and space s in the condition of unchangeable design request. At last, an analytic formula of metal width is obtained. The result shows that Q is much higher after optimization.

关 键 词：硅衬底螺旋电感 RF集成电路 品质因数 物理模型 衬底效应 SIOS 串联电感 串联电阻 串联电容 寄生参数 优化设计 

分 类 号：TN40[电子电信—微电子学与固体电子学]