适用于阵列波导光栅制作的厚SiO_2陡直刻蚀技术  

A Deep Vertical SiO_2 Etching Technique for AWG Fabrication

作　　者：魏珂[1] 刘训春[1] 曹振亚[1] 王润梅[1] 罗明雄[1] 牛立华[1] 

机构地区：[1]中国科学院微电子中心,北京100029

出　　处：《Journal of Semiconductors》2003年第11期1222-1225,共4页半导体学报（英文版）

摘　　要：采用 ICP- 98型高密度等离子体刻蚀机进行了厚 Si O2 陡直刻蚀技术的研究 ,利用双层掩膜技术解决了“微掩膜现象”问题 ,刻蚀获得 12 .4 μm的陡直 Si O2 光波导剖面 ,并将这一刻蚀技术用于阵列波导光栅的制作中 .Aarrayed waveguide grating(AWG) multiplexer is the key device among all the demulti/multiplexer.The difficulty in an AWG fabrication is deep vertical SiO 2 etching.Using ICP 98 high density plasma etcher,a deep vertical SiO 2 etching technology is demonstrated and is used to etch an AWG.The micro mask phenomenon is solved by using double mask technology.

关 键 词：阵列波导光栅(AWG) SiO2 感应耦合等离子体刻蚀(ICP) 

分 类 号：TN205[电子电信—物理电子学]