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机构地区:[1]香港中文大学物理系 [2]香港中文大学物理系香港沙田北京大学物理系,北京100871
出 处:《光散射学报》2003年第3期154-157,共4页The Journal of Light Scattering
基 金:国家自然科学基金(60290083;50272017)
摘 要:本文介绍了用共振拉曼光谱研究CdSe量子点材料的结果,认为拉曼峰是ZnSe和量子点界面模的叠加。指出当激发光能量逐渐离开ZnSe带隙时,共振减弱,ZnSe峰不再占主导,界面模的拉曼峰出现移动及变宽。The paper reports the result of resonant Raman spectroscopy on CdSe quantum dots (QD) embedded in ZnSe, the observed Raman peak is assigned as the sum of ZnSe LO mode and quantum dot interface mode. When the excitation laser energy decreases far below the bandgap of ZnSe, reduction in the resonant effect reveals the Raman peak downshift and broadening of the interface mode.
关 键 词:CDSE 量子点 共振拉曼光谱 共振效应 半导体材料 界面模 拉曼峰 硒化镉
分 类 号:TN304.25[电子电信—物理电子学] O472.3[理学—半导体物理]
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