热激电流法测ZnS:Er薄膜中深能级的研究  

The Deep Energy Level in Device of Zns:Er Thin Film Electroluminescence

作　　者：王守海[1] 周薇[1] 李德华[1] 

机构地区：[1]山东科技大学基础部,山东泰安271019

出　　处：《山东科技大学学报（自然科学版）》2003年第3期94-96,共3页Journal of Shandong University of Science and Technology(Natural Science)

摘　　要：采用热激电流法对ZnS:Er交流薄膜电致发光器件中深能级的测量结果,推测了几种深能级的产生机制。In this article, the authors measure the deep energy level in device of ZnS:Er alternating current thin film electroluminescence by the method of thermal activation current, and conjecture the producing mechanism of deep energy level.

关 键 词：热激电流法 薄膜 深能级 电致发光器件 稀土杂质 硫化锌 铒 

分 类 号：TN304.25[电子电信—物理电子学] O484.5[理学—固体物理]