具有相分离InGaN有源层的白光发光二极管  

White light-emitting diodes with phase-separated InGaN active layers

作　　者：金啸风 

出　　处：《光机电信息》2003年第5期18-20,共3页OME Information

摘　　要：韩国Kwangju理工学院光电子材料中心和材料科学工程系利用相分离InGaN有源层 ,无需添加荧光材料 ,制造出了白光发光二极管。

关 键 词：白光发光二极管 相分离 INGAN 有源层 韩国 

分 类 号：TN312.8[电子电信—物理电子学]