Influence of Device Narrowing on HALO-pMOSFETs' Degradation Under V_g= V_d/2 Stress Mode  

V_g=V_d/2应力模式下宽度变窄对HALO-pMOSFETs退化的影响(英文)

作　　者：胡靖[1] 赵要[1] 许铭真[1] 谭长华[1] 

机构地区：[1]北京大学微电子所,北京100871

出　　处：《Journal of Semiconductors》2003年第12期1255-1260,共6页半导体学报（英文版）

基　　金：国家重点基础研究发展规划资助项目 (No.G2 0 0 0 0 3 65 0 3 )~~

摘　　要：The degradation characteristics of both wide and narrow devices under V _g= V _d/2 stress mode is investigated.The width-enhanced device degradation can be seen with devices narrowing.The main degradation mechanism is interface state generation for pMOSFETs with different channel width.The cause of the width-enhanced device degradation is attributed to the combination of width-enhanced threshold voltage and series resistance.讨论了最差应力模式下 (Vg=Vd/ 2 )宽沟和窄沟器件的退化特性 .随着器件沟道宽度降低可以观察到宽度增强的器件退化 .不同沟道宽度 p MOSFETs的主要退化机制是界面态产生 .沟道增强的器件退化是由于沟道宽度增强的碰撞电离率 .通过分析电流拥挤效应 ,阈值电压随沟道宽度的变化 ,速度饱和区特征长度的变化和 HAL O结构串联阻抗这些可能原因 ,得出沟道宽度增强的热载流子退化是由宽度降低导致器件阈值电压和串联阻抗降低的共同作用引起的 .

关 键 词：width-enhanced degradation pinch-off voltage current-crowding effect 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]