标准数字CMOS工艺中LC谐振回路的改进和应用  

Improvement and Application of LC-Tank Based on Standard Digital CMOS

作　　者：苏彦锋[1] 王涛[1] 朱臻[1] 洪志良[1] 

机构地区：[1]复旦大学微电子系,上海200433

出　　处：《Journal of Semiconductors》2003年第12期1330-1334,共5页半导体学报（英文版）

摘　　要：提出了一种在标准数字 CMOS工艺条件下 ,提高片上螺旋电感性能的实用方法 ,以及在缺少双层多晶硅电容的情况下 ,可以大大节约芯片面积的一种电容实现方法 .介绍了这两种方法在电路设计中的一种应用 ,即利用0 .35 μm1P4 M标准数字 CMOS工艺实现的、单片集成的 L C压控振荡器 .A novel LC-tank is proposed based on the standard digital CMOS process.The inductor's performance is improved in its self-resonant frequency and the capacitor's area is reduced greatly.The LC-tank can be used in some RF circuit applications.A VCO circuit,as an example,is designed with TSMC 0.35μm standard digital CMOS technology.

关 键 词：片上电感 电容 LC谐振回路 压控振荡器 CMOS 半导体工艺 LC压控振荡器 

分 类 号：TN405[电子电信—微电子学与固体电子学]